在强关联电子体系研究中，VO₂作为典型的金属-绝缘体相变材料备受关注。该材料在低温下呈现绝缘态单斜相（M1相），高温时转变为金属态金红石相（R相），其相变机理研究对理解电子关联效应具有重要意义。然而，密度泛函理论（DFT）在准确描述该体系电子结构和晶体结构性质方面面临重大挑战。
张玉波博士研究团队采用前沿的SCAN泛函，结合自旋对称性破缺方法，深入研究了VO₂的电子结构特征。研究发现：1）自旋限制方法会高估V-V键强度，导致键长计算值显著偏短；2）自旋对称性破缺方法则呈现相反趋势。这一关键发现为理解VO₂相变中Peierls晶格畸变与Mott局域化的竞争机制提供了新的理论依据。
该成果入选了国际著名期刊《Journal of Chemical Physics》2024年出版的约翰·珀迪万纪念专刊（John Perdew Festschrift）。论文发表后引起学界的广泛关注，一年内下载量突破544次，期刊编辑部特别致信祝贺这一突出学术贡献。张博士以第一作者兼通讯作者身份完成该成果，william威廉中文官网为第一完成单位，彰显了闽江理论物理协作中心在关联电子材料研究领域的深入发展。
